NX3L2G384是双路低电阻单刀单掷模拟开关。每个开关都具有两个输入/输出端子（nY和nZ）以及一个低电平有效使能输入(nE)。针脚nE为高电平时，模拟开关关闭。

使能输入(nE)处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。NX3L2G384允许振幅高达VCC的信号从nY传输到nZ；或从nZ传输到nY。其低导通电阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)确保最小衰减和传输信号失真。

• 1.4 V至4.3 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻（峰值）：
  • VCC = 1.4 V时，1.6?（典型值）
  • VCC = 1.65 V时，1.0?（典型值）
  • VCC = 2.3 V时，0.55 ?（典型值）
  • VCC = 2.7 V时，0.50 ?（典型值）
  • VCC = 4.3 V时，0.50 ?（典型值）
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
  • IEC61000-4-2接触放电超过4000 V（适合开关端口）
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类A级标准
• 3.0 V时具有TTL电平的直接接口
• 控制输入接受高于电源电压的电压
• 大电流处理能力（3.3 V电源下为350 mA连续电流）
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 手机
• PDA
• 便携式媒体播放器

• BLL6H0514-25 - LDMOS驱动器晶体管
• 74AHCT1G125GW - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• MF0ULx1 - MIFARE Ultralight EV1 - 非接触式票证IC
• PDTA143TM - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
• BLF6G15L-500H - 功率LDMOS晶体管
• PSMN1R6-30BL - N沟道30 V 1.9 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• BCX55-16 - 60 V，1 A NPN中等功率晶体管
• BC51-16PA - 45 V，1 A PNP中等功率晶体管
• 74AVC16T245EV - 16位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• PESD1CAN-U - CAN总线ESD保护二极管