
BLS6G3135(S)-120技术文档下载:
BLS6G3135(S)-120产品应用图解:


NXP恩智浦芯片:
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- BB153,135 - 分立半导体产品 > 二极管 > 可变电容(变容器,可变电抗器)
- P87C51X2BBD,157 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SPC5744BK1AVKU2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LS1043AXE7KQA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PMN27UN,135 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
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- MC56F81746VLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
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- MC68HC908QY1MPE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PUMD12,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
- MKL27Z64VDA4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVT16646ADL,512 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- TDA3629T/YM,112 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- HEF4077BT,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- TWR-KL25Z48M - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
- N74F241N,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 74LV125D,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- PMEG3005EJ,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- S9S08DZ60F2MLCR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLS6G3135(S)-120 - LDMOS S波段雷达功率晶体管
BLS6G3135(S)-120是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLS6G3135(S)-120是LDMOS S波段雷达功率晶体管,本站介绍了BLS6G3135(S)-120的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLS6G3135(S)-120相关的NXP元器件型号供参考。
BLS6G3135(S)-120 - LDMOS S波段雷达功率晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
120 W LDMOS功率晶体管,主要用于3.1 GHz至3.5 GHz范围的雷达应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 极佳的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作(3.1 GHz至3.5 GHz)
- 内部匹配以方便使用
- 符合有害物质限制的Directive 2002/95/EC
产品应用
- 3.1 GHz至3.5 GHz频率范围内的雷达应用
- S频段功率放大器
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