74AXP1G00是单路2输入与非门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 1.0 pF（典型值）
• 低动态功耗；CPD = 2.5 pF，VCC = 1.2 V（典型值）时
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围：?40 °C至+85 °C

• NZX3V3B - 单倍齐纳二极管
• BUK7Y8R7-60E - N-channel 60 V, 8.7 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56
• 74LVC541ADB - 八位元缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；3态
• PCA8886TS - 双通道电容式接近开关，具有自动校准和宽工作电压范围
• 74AHCT1G79GV - 单频D型触发器；正沿触发器
• 74LVT04D - 3.3 V六频逆变器
• PEMB20; PUMB20 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• BLF7G24L(S)-140 - 功率LDMOS晶体管
• PSMN017-80PS - N沟道80 V 17 m?标准电平MOSFET，采用TO220封装
• PESD3V3L5UY - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列