HEF4094B是8级串行移位寄存器。其具有与每一级都相关的存储锁存器，将数据从串行输入选通到并行缓冲3态输出QP0至QP7。并行输出可直接连接到通用总线线路。数据在时钟正向跃迁时移位。选通(STR)输入为高电平时，每个移位寄存器级中的数据都会被传输到存储寄存器。输出使能(OE)信号为高电平时，存储寄存器中的数据会出现在输出处。

两个串行输出（QS1和QS2）可用于级联各种HEF4094B器件。时钟正边沿上的QS1提供串行数据，在具有快速时钟上升时间的级联系统中可实现高速操作。下一个时钟负边沿上的QS2提供同一串行数据。时钟具有缓慢上升时间时，这用于级联HEF4094B器件。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40?°C至+125?°C
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• PCF8883T - 电容式接近开关，具有自动校准、宽工作电压范围和极低功耗
• 74LV595 - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器；3态
• 74AUP1G09GW - 低功耗2输入与门，带开漏输出
• 74AUP1Z125GM - 低功耗晶体驱动器，带使能和内部晶体管；3态
• PSMN5R5-60YS - N沟道LFPAK 60 V，5.2 mΩ标准电平FET
• P5CD016X0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• P5CD072EV4 - 安全三接口、双接口和接触式PKI智能卡控制器
• BUK7608-55 - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PZU2.4BA - 单倍齐纳二极管
• BLM7G1822S-40PB(G) - LDMOS 2级功率MMIC