74AUP2G34提供两个低功耗、低电压的缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74VHC14PW - 十六进制反相施密特触发器
• 74ALVT16543 - 2.5 V/3.3 V ALVT 16位寄存收发器（3态）
• 74LVCH16374ADL - 16位边沿触发D型触发器；5 V容压（三态）
• PEMH2 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BF512 - N沟道硅FET
• 74LVT2245DB - 3.3 V八进制收发器，具有30 Ohm端接电阻；3态
• PESD5V0L1BSF - 超薄双向低电容ESD保护二极管
• PMEG1030EJ - 10 V、3 A超低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74LVC3G14GT - 三路反相施密特触发器，带5 V容压输入
• BC859CW - PNP通用晶体管