
BFU580Q技术文档下载:
BFU580Q产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MF1S5030XDA8/V1J - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- MC9S08GW32CLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BTA216X-600F,127 - 分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
- S32K324NHT1MPBIR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BGS8H2X - 射频和无线 > 射频放大器
- 74HCT573DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- BUK7C1R8-60EJ - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MCIMX515DJM8CR2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC9S08PA4VTG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- N74F00N,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MFS2621AMDA0ADR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用



BFU580Q - NPN宽带硅RF晶体管
BFU580Q是NXP恩智浦公司的一款LNA、混频器、倍频器、缓冲器产品,BFU580Q是NPN宽带硅RF晶体管,本站介绍了BFU580Q的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BFU580Q相关的NXP元器件型号供参考。
BFU580Q - NPN宽带硅RF晶体管 - LNA、混频器、倍频器、缓冲器 - RF双极性晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN硅微波晶体管可用于高速、中等功率应用,采用塑料3针脚SOT89封装。
BFU580Q属于BFU5系列晶体管,适合小信号到高达2 GHz的中等功率应用。
产品特性和优势
- 低噪音、高线性度、高击穿RF晶体管
- 符合AEC-Q101标准
- 900 MHz时最低噪声系数(NFmin) = 0.75 dB
- 900 MHz时最大稳定增益14 dB
- 11 GHz fT硅技术
产品应用
- 要求高电源电压和高击穿电压的应用
- 高达2 GHz的宽带放大器
- 针对ISM应用的低噪声、高线性度放大器
- 汽车应用(例如,天线放大器)
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