74AUP2G00提供双路2输入与非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PCF8591 - 8位A/D和D/A转换器
• BC850B - NPN通用晶体管
• BLM8G0710S-30PB - LDMOS 2-stage power MMIC
• PDTA113ET - PNP配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 1 kOhm
• BAP70Q - 四通道PIN二极管衰减器
• BC846S - NPN通用双晶体管
• PTVS22VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• PBSS4160PANS - 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
• 74LVT2241DB - 3.3V八位元缓冲器/线路驱动器，具有30 Ohm串联端接电阻；3态
• BUK9Y12-100E - N沟道100 V，12 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装