74AUP2G00提供双路2输入与非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• BF821; BF823 - PNP高压晶体管
• PCF85162T - 低复用率通用LCD驱动器
• PEMB9; PUMB9 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• TEA1723FT - 适用于11 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 1750 Hz
• PMBF4393 - N沟道FET
• TFF1003HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器
• 74LVT16652ADGG - 3.3 V 16位总线收发器/寄存器；3态
• PDTA123E series - PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• PMEG1020EH; PMEG1020EJ - 10 V、2 A超低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• SAF3601EL - Digital radio and processing system-on-chip