74AUP1T34提供带两个单独电源电压的单个缓冲器。输入A设计用于追踪VCC(A)。输出Y设计用于追踪VCC(Y)。VCC(A)和VCC(Y)接受1.1 V至3.6 V范围内的任何电源电压。此特性允许任意1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V电压节点间的通用低压连接。

所有输入处的施密特触发器动作使电路能容许整个1.1 V至3.6 V的VCC范围内较慢的上升和下降时间。该器件可确保整个1.1 V至3.6 V的VCC范围内极低的静态和动态功耗。该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.1 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 宽电源电压范围：
  • VCC(A)：1.1 V至3.6 V
  • VCC(Y)：1.1 V至3.6 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 每个端口在整个1.1 V至3.6 V的电源电压范围内工作
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BFU730LX - NPN宽频带硅锗RF晶体管
• BZV55-C12 - 稳压器二极管
• PHPT60406PY - 40 V、6A PNP高功率双极性晶体管
• BLF8G27LS-100P - 功率LDMOS晶体管
• BLF8G10LS-270 - 功率LDMOS晶体管
• 74LVC1G27 - 单路3输入或非门
• PIMH9 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 10?kΩ，R2 = 47?kΩ
• PCA9570DP - Remote 4-bit general purpose outputs for 1 MHz I2C-bus
• 74AVC4T245BQ - 4位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• 74HC(T)42 - BCD至十进制解码器(10选1)