74LVC2G66是低功耗、低电压、高速硅栅CMOS器件。

74LVC2G66提供两个单刀单掷模拟开关功能。每个开关都具有两个输入/输出终端（nY和nZ）以及一个有源高电平使能输入（nE）。nE为低电平时，模拟开关会被关断。

使能输入的施密特触发器动作使电路在1.65 V至5.5 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 7.5 Ω（典型值）（VCC = 2.7 V时）
  • 6.5 Ω（典型值）（VCC = 3.3 V时）
  • 6 Ω（典型值）（VCC = 5 V时）
• 32 mA的开关电流能力
• 高抗噪性
• CMOS低功耗
• 3.3 V时的TTL接口兼容性
• 锁存性能满足JESD78 I类的要求
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 使能输入可接受最高达5.5 V的电压
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• BF723 - PNP高压晶体管
• PMZ290UNE2 - 20 V, N-channel Trench MOSFET
• TJA1021 - LIN 2.1/SAE J2602收发器
• IP3319CX6 - 带集成式ESD保护网络的单通道共模滤波器
• 74VHCT595BQ - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器，带输出锁存器
• NZX3V9A - 单倍齐纳二极管
• 74AUP1G00GM - 低功耗2输入与非门
• PSMN1R5-25YL - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• IP4294CZ10-TBR - 用于超高速接口的ESD保护
• 74LVC1G06GW - 反相器，带开漏输出