
BFU530A技术文档下载:
BFU530A产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- T2080NXN8MQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- MC68P11E1CFN2R2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 88W8987SA2-NYEA/BK - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- FS32K144MNT0MLHT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PEMI8QFN/BYP,132 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
- AU5790D14,518 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- LPC5506JHI48EL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S32K358NHT1MJBST - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SPC5668GAVMGR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF6VP41KHR7 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET



BFU530A - NPN宽带硅RF晶体管
BFU530A是NXP恩智浦公司的一款LNA、混频器、倍频器、缓冲器产品,BFU530A是NPN宽带硅RF晶体管,本站介绍了BFU530A的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BFU530A相关的NXP元器件型号供参考。
BFU530A - NPN宽带硅RF晶体管 - LNA、混频器、倍频器、缓冲器 - RF双极性晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN硅RF晶体管可用于高速、低噪声应用,采用塑料3针脚SOT23封装。
BFU530A属于BFU5系列晶体管,适合小信号到高达2 GHz的中等功率应用。
产品特性和优势
- 低噪音、高击穿RF晶体管
- 符合AEC-Q101标准
- 900 MHz时最低噪声系数(NFmin) = 0.6 dB
- 900 MHz时最大稳定增益18 dB
- 11 GHz fT硅技术
产品应用
- 要求高电源电压和高击穿电压的应用
- 高达2 GHz的宽带放大器
- 针对ISM应用的低噪声放大器
- ISM频段振荡器
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