CBTD16211提供24位高速TTL兼容总线开关。该开关的低通态电阻允许在传播延迟最小的情况进行连接。

该电路中集成了连接到VCC的二极管，可实现5 V输入和3.3 V输出之间的电平转换。

该器件采用带单独输出使能(OE)输入的双路12位总线开关结构。该器件可用作两个10位总线开关或一个20位总线开关。OE为低电平时，相关的10位总线开关处于开启状态且端口A连接到端口B。OE为高电平时，开关处于开启状态且端口间存在高阻抗状态。

CBTD16211的特点是工作温度范围为-40 °C至+85 °C。

• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• TTL兼容控制输入电平
• 设计用于电平转换应用
• 封装选择包括紧缩小型(SSOP)和减薄紧缩小型(TSSOP)
• ESD保护超过1000 V CDM，符合JESD22-C101标准
• 已完成闭锁测试，符合超过100 mA的JESDEC标准JESD78

• PDTA144ET - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PZU3.9BL - 单倍齐纳二极管
• P5CN081 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• BUK7K17-60E - 双N沟道60 V，14 m?标准电平MOSFET
• PCA9531PW - 8位I2C总线LED调光器
• PSMN5R0-80BS - N沟道80 V，5.1 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74LVC30A - 8-input NAND gate
• PCA6408APW - 带有中断输出、复位和配置寄存器的低电压、8位I2C总线和SMBus I/O扩展器
• 74LV165A - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• BC807-40 - 45 V，500 mA PNP通用晶体管