74AUP1T58提供低功耗、低电压的可配置逻辑门功能。输出状态由3位输入的八种模式确定。用户可以选择逻辑功能AND、OR、NAND、NOR、XOR、反相器和缓冲器。所有输入都可连接到VCC或GND。

该器件可确保整个2.3 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

74AUP1T58针对逻辑电平转换应用设计，具有可接受1.8 V低压CMOS信号的输入切换电平，工作时采用2.5 V或3.3 V单电源电压。

电池电压从3.6 V降至2.3 V时，宽电源电压范围可确保正常运行。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

施密特触发器输入使电路容许整个VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 1.5 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74AUP1G885GM - 低功耗双功能门
• 74AVC1T45 - 双电源电压电平转换器/收发器；3态
• 74HCT1G04GW - 反相器
• PSMN5R6-100PS - N沟道100 V 5.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装
• PBSS4360PAS - 60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
• BCX17 - PNP通用晶体管
• BZT52H-B5V6 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PTVS9V0S1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• PZU3.0B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PSMN6R3-120ES - N沟道120 V 6.7 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装