
BUK9K134-100E技术文档下载:
BUK9K134-100E产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MK10DX128VLH7R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- PCA9550DP,118 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > LED 驱动器
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- T4161NSN7PQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MWCT1000CFM - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- MRF6S19140HR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MC34PF3000A7EP - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- MF1S7000XDA4,118 - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
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- 74HC191PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 计数器,除法器
- BF1201WR,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET



BUK9K134-100E - 双N沟道100 V,159 mΩ逻辑电平MOSFET
BUK9K134-100E是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK9K134-100E是双N沟道100 V,159 mΩ逻辑电平MOSFET,本站介绍了BUK9K134-100E的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK9K134-100E相关的NXP元器件型号供参考。
BUK9K134-100E - 双N沟道100 V,159 mΩ逻辑电平MOSFET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
双逻辑电平N沟道MOSFET,采用LFPAK56D(双Power-SO8)封装,使用TrenchMOS技术。该产品设计符合AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 双MOSFET
- 符合Q101标准
- 重复雪崩耐受
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
- 真正的逻辑电平栅极,175?°C时VGS(th)额定值大于0.5?V
产品应用
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 马达、灯具和螺线管控制
- 变速器控制
- 超高性能功率切换
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