
BUK6E3R2-55C技术文档下载:
BUK6E3R2-55C产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- P2041NSN7NNC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- 74LVC109DB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
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- SC16C852IBS,157 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- PDTA143XT,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- MC9S12NE64CPV - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMX8QX5GVLFZAC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74AHCT126D/AUJ - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
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- P89C60X2BA/00,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8548VTAQGD - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MPXC2012DT1 - 传感器,变送器 > 压力传感器、变送器
- NT3H2211W0FHKH - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC



BUK6E3R2-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
BUK6E3R2-55C是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK6E3R2-55C是N沟道TrenchMOS中间电平FET,本站介绍了BUK6E3R2-55C的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK6E3R2-55C相关的NXP元器件型号供参考。
BUK6E3R2-55C - N沟道TrenchMOS中间电平FET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
中间电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用先进的TrenchMOS技术。该产品设计符合相应AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特性和优势
- 符合AEC Q101标准
- 适用于中间电平栅极驱动源
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
产品应用
- 12 V和24 V汽车系统
- 电动和电动液压助力转向
- 马达、灯具和螺线管控制
- 微型混合动力起止应用
- 传动控制
- 超高性能电源开关
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