
BLL8H1214L-250技术文档下载:
BLL8H1214L-250产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC145026DR2 - 集成电路(IC) > 接口 > 编码器,解码器,转换器
- 74LVC273D,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- BLF8G20LS-400PVQ - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- AU5783D,518 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- LS1046ASE8T1A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BZX384-B36,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 74HCT14D,653 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MCIMX534AVV8C2R2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- SP5747CSK0AVMJ2R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MKL02Z32CAF4R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF1518NT1 - 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- MC908AP64CFBER - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC44722AVFU - 集成电路(IC) > 接口 > 编码器,解码器,转换器



BLL8H1214L-250 - LDMOS L-band radar power transistor
BLL8H1214L-250是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLL8H1214L-250是LDMOS L-band radar power transistor,本站介绍了BLL8H1214L-250的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLL8H1214L-250相关的NXP元器件型号供参考。
BLL8H1214L-250 - LDMOS L-band radar power transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
250 W LDMOS power transistor intended for L-band radar applications in the 1.2 GHz to1.4 GHz range.
产品特性和优势
- Easy power control
- Integrated dual side ESD protection
- High flexibility with respect to pulse formats
- Excellent ruggedness
- High efficiency
- Excellent thermal stability
- Designed for broadband operation (1.2 GHz to 1.4 GHz)
- Internally matched for ease of use
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances(RoHS)
产品应用
- L-band power amplifiers for radar applications in the 1.2 GHz to 1.4 GHz frequencyrange
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