74AUP3G04提供一个低功耗、低电压的三路反相缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BCW29; BCW30 - PNP通用晶体管
• 74AUP2G98GM - Low-power dual PCB configurable multiple function gate
• 74LVC1G38GF - 2输入与非门；开漏
• 74HCT107D - 带复位功能的双频JK触发器；负沿触发器
• PESD3V3U1UT - 采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
• 74HC4075D - 三路3输入或门
• 74AUP1T58GW - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
• PSMN6R0-30YL - N沟道30 V 6 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• PTVS45VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• PEMH2; PUMH2 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ