13个二极管和11个电阻的阵列设计用于保护下游元件免受高达15 kV的静电放电(ESD)电压损坏。该器件采用1.56 mm x 1.56 mm晶圆级芯片封装(WLCSP)（利用单芯片硅半导体技术制造）。

这些特性使得该器件非常适合高度要求具有最小尺寸的应用，如手机、无绳电话和个人数字设备。

• 符合危险物质使用限制(RoHS)标准的无铅封装，无卤/无锑（符合“深绿”标准）
• 适用于microSD记忆卡通道的集成式ESD保护、电磁干扰(EMI)和RF滤波
• 输出端子的6个通道的ESD保护高达15 kV
• 集成式EMI和RF滤波器，具有上拉电阻（在5个通道上）
• 其他电源保护
• WLCSP封装，间距0.4 mm

• 移动电话和个人通信系统(PCS)手机中的MicroSD记忆卡接口
• 无绳电话
• 数码相机和摄像机
• 媒体播放器
• 读卡器

• 74HC573DB - 八进制D型透明锁存器；3态
• PZU9.1B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74AUP2G241GN - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器；3态
• 74LVC(H)162373A - 16位D型透明锁存器；30 Ω串联端接电阻；5 V容压输入/输出；3态
• BLF8G10L-160 - 功率LDMOS晶体管
• PDTD123YT - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• CBT3257ADS - 四路2选1多路复用器/解复用器
• PMV65XPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• PCA85132U - 低复用率LCD驱动器
• PZU11B2L - 单倍齐纳二极管