13个二极管和11个电阻的阵列设计用于保护下游元件免受高达15 kV的静电放电(ESD)电压损坏。该器件采用1.56 mm x 1.56 mm晶圆级芯片封装(WLCSP)（利用单芯片硅半导体技术制造）。

这些特性使得该器件非常适合高度要求具有最小尺寸的应用，如手机、无绳电话和个人数字设备。

• 符合危险物质使用限制(RoHS)标准的无铅封装，无卤/无锑（符合“深绿”标准）
• 适用于microSD记忆卡通道的集成式ESD保护、电磁干扰(EMI)和RF滤波
• 输出端子的6个通道的ESD保护高达15 kV
• 集成式EMI和RF滤波器，具有上拉电阻（在5个通道上）
• 其他电源保护
• WLCSP封装，间距0.4 mm

• 移动电话和个人通信系统(PCS)手机中的MicroSD记忆卡接口
• 无绳电话
• 数码相机和摄像机
• 媒体播放器
• 读卡器

• BLF6G27-10(G) - WiMAX功率LDMOS晶体管
• PZU6.8B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PRTR5V0U4Y - 集成四通道超低电容ESD保护
• BLF178XR(S) - 功率LDMOS晶体管
• 74AVC16T245 - 16位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• IP4856CX25 - 符合SD3.0规范的记忆卡集成双电平转换器，带EMI滤波器和ESD保护
• BZV90-C3V0 - 稳压器二极管
• BAS19; BAS20; BAS21 - 通用二极管
• 74AUP2G06GF - 低功耗双路反相器，带开漏输出
• 74ABT162244DL - 16位缓冲器/线路驱动器，具有30 Ω串联端接电阻；3态