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BLF8G27LS-140产品应用图解：
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- S912XEP100J5MALR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- TDF8534HH/N2/S710Y - 线性 - 放大器 - 音频
- SA616DK/02,112 - 射频和无线 > 射频混频器
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- PHB143NQ04T,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- OM10100 - 开发板，套件，编程器 > 评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板
- MC908LB8VDWER - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08SE4CRL - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- S912ZVMC64F3MKHR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MC68HC705C8ACFN - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- FXTH8709116T1 -
BLF8G27LS-140 - 功率LDMOS晶体管
BLF8G27LS-140是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLF8G27LS-140是功率LDMOS晶体管，本站介绍了BLF8G27LS-140的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLF8G27LS-140相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G27LS-140 - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
140 W LDMOS功率晶体管，适合2500 MHz至2700 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低Rth，提供极佳的热稳定性
- 更低的输出电容，可增强Doherty应用中的性能
- 针对低内存占用量设计，提供出色的预失真性能
- 内部匹配，便于使用
- 集成式ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合2500 MHz至2700 MHz频率范围内W-CDMA基站和多载波应用的RF功率放大器
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