74ALVT162821高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动能力。它设计用于I/O 兼容性高达5 V、在2.5 V或3.3 V电压下进行VCC操作。

74ALVT162821具有两个10位边沿触发寄存器，每个寄存器都耦合到一个三态输出缓冲器。每个寄存器的两个部分由时钟（nCP）和输出使能（nOE）控制逻辑门独立控制。

每个寄存器为完全边沿触发。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入的状态会被传输到相应的触发器Q输出。

三态输出缓冲器设计用于驱动重负载三态总线、MOS存储器或MOS微处理器。有源低电平输出使能（nOE）可控制所有十个不受寄存器操作影响的三态缓冲器。nOE为低电平时，寄存器内的数据会出现在输出处。nOE为高电平时，输出处于高阻抗“关断”状态，这表示这些输出既不能驱动也不能加载总线。

74ALVT162821设计在高电平或低电平输出级内使用30 Ω串联电阻。该设计可降低存储器地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发送器等应用中的线路噪声。该系列端接电阻可降低过冲和欠冲，非常适用于驱动存储器阵列。

• 输出包括30 Ω的串联电阻，从而无需外部端接电阻
• 20位正沿触发寄存器
• 可兼容5 V I/O
• 多个Vcc引脚和GND引脚可最大程度降低开关噪声
• 允许带电插拔
• 上电复位
• 上电三态
• 输出能力：+12mA/-12mA
• 根据Jedec Std 17 ，锁存保护超过500mA
• 根据MIL STD 883 Method 3015，ESD保护超过2000 V；根据机器模型，ESD保护超过200V
• 总线保持数据输入无需用外部上拉电阻来保持闲置输入

• PDTC123JMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BUK9504-40A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BZB784-C2V7 - 双倍稳压器二极管
• 74AUP2G132GD - 低功耗双路2输入与非施密特触发器
• BZX384-C39 - 稳压器二极管
• SC16C850 - 2.5 V至3.3 V的UART，5 Mbit/s（最快），带有128字节FIFO、红外(IrDA)以及16模式或68模式并行总线接口
• 74CBTLV1G125 - 单路总线开关
• BLF7G27L(S)-100 - LDMOS功率晶体管
• 74AXP2G17 - Low-power dual Schmitt trigger
• BZB84-B3V6 - 双倍齐纳二极管