74CBTLVD3861是带一个输出使能(OE)输入的10位3.3 V至1.8 V电平转换总线开关。OE为低电平时，开关闭合且端口A连接到端口B。OE为高电平时，该开关处于禁用状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，OE应当通过上拉电阻连接到VCC。电阻的最小值由驱动器灌入电流的能力确定。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个3.0 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。

• 3.0 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-B/JESD36（3.0 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的4 Ω开关连接
• 3.3 V至1.8 V电平转换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA，符合JESD78B I类A级标准
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PZU3.6BA - 单倍齐纳二极管
• BZX84-C13 - 稳压器二极管
• PESD5V0F1USF - 极低电容单向ESD保护二极管
• HTMS1x01; HTMS8x01 - HITAG μ (ISO14223)和(ISO11784/85)应答器IC
• 74HCT04D - 六位元反相器
• 74LVC541ADB - 八位元缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；3态
• PBSS302NZ - 20 V、5.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• GTL2003BQ - 8位双向低电压变换器
• 74AHC2G08DP - 双路2输入与门
• BUK768R1-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET