
BLF8G24LS-150V技术文档下载:
BLF8G24LS-150V产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PK50N512CLL100 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC68331CEH16 - 嵌入式 - 微控制器
- BGA3015,115 - 射频和无线 > 射频放大器
- BGU8103X - 射频和无线 > 射频放大器
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- MFRC52201HN1,115 - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- MK22FX512VMC12R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SPC5748GSK1MMJ6 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- NZH6V8B,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MC9S12XEQ512MAG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PDTA113ZE,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管



BLF8G24LS-150V - 功率LDMOS晶体管
BLF8G24LS-150V是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G24LS-150V是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G24LS-150V的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G24LS-150V相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G24LS-150V - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
150 W LDMOS功率晶体管,具有改进的视频带宽,适合2300 MHz至2400 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低Rth,提供极佳的热稳定性
- 去耦引线,可改进视频带宽(典型值:60 MHz)
- 更低的输出电容,可增强Doherty应用中的性能
- 针对低内存占用量设计,提供出色的数字预失真性能
- 内部匹配,便于使用
- 集成式ESD保护
- 最适合鸥翼式的设计
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适合2300至2400 MHz频率范围内CW应用的RF功率放大器
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