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CLF1G0035S-100P - 宽带RF功率GaN HEMT
CLF1G0035S-100P是NXP恩智浦公司的一款GaN器件产品，CLF1G0035S-100P是宽带RF功率GaN HEMT，本站介绍了CLF1G0035S-100P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CLF1G0035S-100P相关的NXP元器件型号供参考。
CLF1G0035S-100P - 宽带RF功率GaN HEMT - GaN器件 - RF功率晶体管 - 恩智浦
产品描述
CLF1G0035-100P和CLF1G0035S-100P是100W通用宽带GaN HEMT，使用范围为DC至3.5 GHz。
产品特性和优势
- 工作频率为DC至3.5 GHz
- 100 W通用宽带RF功率GaN HEMT
- 极佳的强度(VSWR 10 : 1)
- 高电压操作(50 V)
- 热增强封装
产品应用
- 商业无线基础设施（蜂窝、WiMAX）
- 雷达
- 宽带通用放大器
- 公共移动无线电
- 工业、科学、医疗
- 干扰器
- EMC测试
- 国防应用
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