
BLF8G24L-200P技术文档下载:
BLF8G24L-200P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 74ABT2245DB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- S9S12P96J0CQK - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- MPC8536ECVJATHA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC33932EKR2 - 电源管理IC - 电机驱动器,控制器
- MMA6855AKGWR2 - 传感器,变送器 > 运动传感器 > 加速计
- LPC1115FBD48/303EL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- HEF4585BT,653 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 比较器
- P89LV51RB2BA,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S912XEQ384J3MALR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLF8G24L-200P - 功率LDMOS晶体管
BLF8G24L-200P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G24L-200P是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G24L-200P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G24L-200P相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G24L-200P - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适用于2300 MHz至2400 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 极佳的强度
- 高效率
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作(2300 MHz至2400 MHz)
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 主要用于降低记忆效应以提供极佳预失真能力
- 内部匹配以方便使用
- 集成ESD保护
- 符合有害物质限制(RoHS) Directive 2002/95/EC
产品应用
- 基站RF功率放大器
- 2300 MHz 至2400 MHz频率范围内的多载波应用
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