74AUP1G17提供单路施密特触发缓冲器。它们能够将缓慢变化的输入信号转变为清晰的无抖动输出信号。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

该输入在不同点进行开关以实现正向和负向信号。正向电压VT+和负向电压VT-之间的差值被定义为输入迟滞电压VH。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AVCH20T245DGG - 20位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• 74CBTLV3257 - 四路2选1多路复用器/解复用器
• 74HC05PW - 六位元反相器，带开漏输出
• 2PB709ASW - PNP通用晶体管
• CLF1G0035(S)-100 - 宽带RF功率GaN HEMT
• 74LVC(H)245A - 八进制总线收发器；3态
• PDTC114YM - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PSMN1R1-40BS - N沟道40 V 1.3 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74LVC3G16 - Triple buffer
• BC817 - 45 V，500 mA NPN通用晶体管