74AUP1G17提供单路施密特触发缓冲器。它们能够将缓慢变化的输入信号转变为清晰的无抖动输出信号。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

该输入在不同点进行开关以实现正向和负向信号。正向电压VT+和负向电压VT-之间的差值被定义为输入迟滞电压VH。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK7907-40ATC - N沟道TrenchPLUS标准电平FET
• BC53PA - 80 V，1 A PNP中等功率晶体管
• 74ABT08D - 四路2输入与门
• PDTC144TU - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路
• PTVS3V3S1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• PBLS1501V - 15 V PNP BISS负载开关
• PSMN2R5-30YL - N沟道30 V 2.4 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• PESD5V0F1USF - 极低电容单向ESD保护二极管
• 74HC(T)165 - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• 74LVC2G17GS - 双路非反相施密特触发器，带5 V容压输入