
BLF7G22L-130技术文档下载:
BLF7G22L-130产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PZT3904,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
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- MC9S12C96MFAE - 嵌入式 - 微控制器
- MRFE6S8046NR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
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- 74AHC1G32GV,125 - 未分类 > 未分类
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- TEA6845H/V2,557 - 射频和无线 > 射频接收器
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- MM912JS812AMAFR2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 应用特定微控制器
- S9S08SG16E1MTG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLF7G22L-130 - 功率LDMOS晶体管
BLF7G22L-130是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF7G22L-130是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF7G22L-130的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF7G22L-130相关的NXP元器件型号供参考。
BLF7G22L-130 - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
130 W LDMOS功率晶体管,适用于2000 MHz至2200 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 极佳的强度
- 低记忆效应,提供极佳数字预失真能力
- 高效率
- 内部匹配以方便使用
- 集成ESD保护
- 主要用于宽带操作(2000 MHz至2200 MHz)
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 符合有害物质限制的Directive 2002/95/EC
产品应用
- W-CDMA基站RF功率放大器
- 2000 MHz 至2200 MHz频率范围内的多载波应用
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