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- MC9S12DG256BVPV - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8535EAVTAKG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74LVC1G125GW,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器



MF0UL2101DUD - MIFARE Ultralight EV1 - 非接触式票证IC
MF0UL2101DUD是NXP恩智浦公司的一款MIFARE智能卡IC产品,MF0UL2101DUD是MIFARE Ultralight EV1 - 非接触式票证IC,本站介绍了MF0UL2101DUD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与MF0UL2101DUD相关的NXP元器件型号供参考。
MF0UL2101DUD - MIFARE Ultralight EV1 - 非接触式票证IC - MIFARE智能卡IC - 智能卡IC - 恩智浦
恩智浦半导体开发了MIFARE Ultralight EV1 MF0ULx1,可用于非接触式智能票证、智能卡或令牌以及近距离耦合设备(PCD)。MF0ULx1设计用于兼容ISO/IEC 14443 A类标准的环境。目标应用包括公共交通网络中的单程票或专用票证、会员卡或活动中的日票。MF0ULx1可用来代替传统票证解决方案,如纸质票证、磁条票证或硬币。它亦是代替非接触式卡系列的完美票证解决方案,如代替MIFARE DESFire或MIFARE Plus。
MIFARE Ultralight EV1承继了MIFARE Ultralight票证IC的特性,在功能上完全向后兼容。其增强的功能和命令集可实现更高效的部署,为系统设计提供更多灵活性。
MIFARE Ultralight EV1的机械和电气特性满足嵌体和纸质票证制造商的要求。
非接触式能源和数据传输在MIFARE系统中,MF0ULx1以少量匝数连接线圈。MF0ULx1符合TFC.0 (Edmondson)和TFC.1 (ISO)票证格式。
MF0ULx1芯片集成17 pF片内谐振电容,支持TFC.1和TFC.0票证格式。
防干扰智能防干扰功能允许同时有多张卡在现场工作。防干扰算法单独选择每张卡。该算法确保所选定的卡正确执行交易,不会受到现场另一张卡的干扰。
轻松集成,使用简便MF0ULx1针对轻松集成和使用简便而设计,允许在不到35 ms的时间内完成整个票证交易。
安全 每器件具有制造商编程的7字节UID 32位用户可定义一次性可编程(OTP)区 3个独立的24位真单向计数器 每页具有现场可编程只读锁定功能(扩展存储器部分是每两页) 基于ECC的原创签名 32位密码保护功能可防止意外的存储器操作 命名规范MF0ULx101Dyy
描述
MF
MIFARE系列
0
Ultralight产品系列
UL
产品:MIFARE Ultralight
x
一个字符标识符表示存储器大小
1... 640位总存储器容量,384位用户自由存储器容量
2... 1312位总存储器容量,1024位用户自由存储器容量
Dyy
yy表示交付类型
UF... 裸片,75 μm厚度,金凸起,电子映射文件
UD... 裸片,120 μm厚度,金凸起,电子映射文件
A8... MOA8非接触式模块
- 非接触式数据传输和电源
- 工作频率:13.56 MHz
- 数据完整性:16位CRC、奇偶校验、位编码、位计数
- 7字节序列号(ISO/IEC 14443-3 cascade level 2)
- 快速计数器交易:< 10 ms
- 工作距离长达100 mm,具体取决于天线几何尺寸和读卡器配置
- 数据传输:106 kb/s
- 真正防干扰
- 典型票证交易:< 35 ms
EEPROM
- 640位或1312位,以20或41页、每页4字节进行组织
- 前512位兼容MF0ICU1
- 前512位具有每页现场可编程只读锁定功能
- 前512位之后具有每两页现场可编程只读锁定功能
- 32位用户可定义一次性可编程(OTP)区
- 384位或1024位用户可自由读/写区(12或32页)
- 用户区顶部有3个独立、真正24位单向计数器
- 计数器、OTP区和锁定位支持防修改功能
- 可配置密码保护具有可选失败尝试限值功能
- 基于ECC的独创签名
- 数据保存期为10年
- 写入操作耐受程度为100.000个周期
- 单向计数器的写入操作耐受程度为1.000.000个周期
- 公共交通
- 活动票务
- 会员积分
- TJA1042TK - 具备待机模式的高速CAN收发器
- PMBT3906VS - 40 V,200 mA PNP/PNP开关晶体管
- 74AHCT573PW - 八进制D型透明锁存器;3态
- BAT160 series - 双倍肖特基势垒二极管
- 74AUP2G04GS - 低功耗双路反相器
- PESD3V3V4UK - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
- 74HCT367D - 六位元缓冲器/线路驱动器;3态
- BZT52H-B3V6 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
- BUK762R0-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
- PMBTA06 - NPN通用晶体管



