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BLF6G10(LS)-200RN - 功率LDMOS晶体管
BLF6G10(LS)-200RN是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品，BLF6G10(LS)-200RN是功率LDMOS晶体管，本站介绍了BLF6G10(LS)-200RN的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与BLF6G10(LS)-200RN相关的NXP元器件型号供参考。
BLF6G10(LS)-200RN - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管，适合700 MHz至1000 MHz频率范围的基站应用
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 增强的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作（700 MHz至1000 MHz）
- 内部匹配，便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适用于GSM、GSM EDGE、W-CDMA和CDMA基站的RF功率放大器。
- 700 MHz至1000 MHz频率范围内的多载波应用
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