
BLF6G10(LS)-200RN技术文档下载:
BLF6G10(LS)-200RN产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC33FS6517CAE - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
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- MFS2633HMBA0ADR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- ICM7555ID,623 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 可编程定时器和振荡器
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- SC16C754BIA68,529 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- LS1043AXN7KQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器



BLF6G10(LS)-200RN - 功率LDMOS晶体管
BLF6G10(LS)-200RN是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF6G10(LS)-200RN是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF6G10(LS)-200RN的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF6G10(LS)-200RN相关的NXP元器件型号供参考。
BLF6G10(LS)-200RN - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适合700 MHz至1000 MHz频率范围的基站应用
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 增强的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作(700 MHz至1000 MHz)
- 内部匹配,便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适用于GSM、GSM EDGE、W-CDMA和CDMA基站的RF功率放大器。
- 700 MHz至1000 MHz频率范围内的多载波应用
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