74AUP1G374提供具有三态输出的单路D类触发器。该触发器会存储它们各自的数据输入（D）状态，满足从低到高CP转换的建立和保持时间要求。引脚OE为低电平时，触发器的内容在（Q）输出处可用。引脚OE为高电平时，输出会进入高阻抗关断状态。输入引脚OE的操作不会影响触发器的状态。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PTVS54VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• PCA9634PW - 8位Fm+ I2C总线LED驱动器
• 74AHCT240D - 八位元缓冲器/线路驱动器；反相；3态
• PDTC143EM - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• 74AUP2G97GU - Low-power dual PCB configurable multiple function gate
• HTSMOH5602EV - HITAG S应答器IC
• 74LVC08AD - 四路2输入与门
• PSMN4R1-30YLC - N沟道30 V 4.35m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• PHKD6N02LT - 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PMEG2010AET - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管