
BLF6G10L-40BRN技术文档下载:
BLF6G10L-40BRN产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- P89LPC9151FDH,129 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PTN36241BBS,128 - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- 74HC273N,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- MRF8S21120HR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
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- LPC2468FET208K - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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BLF6G10L-40BRN - 功率LDMOS晶体管
BLF6G10L-40BRN是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF6G10L-40BRN是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF6G10L-40BRN的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF6G10L-40BRN相关的NXP元器件型号供参考。
BLF6G10L-40BRN - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
40 W LDMOS功率晶体管,适合700 MHz至1 GHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 方便的功率控制
- 集成ESD保护
- 增强的强度
- 高效率
- 极佳的热稳定性
- 设计用于宽带操作(728 MHz至960 MHz)
- 内部匹配,便于使用
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
- 集成式电流感测
产品应用
- 适用于W-CDMA基站的RF功率放大器
- 728 MHz至960 MHz频率范围内的多载波GSM和LTE应用
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