74LVC2G17提供两个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD-8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• MMBZ27VCL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管
• 74AHC1G08GW - 2输入与门
• 74LVCU04AD - 六位元反相器
• BC55-10PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A NPN medium power transistors
• 74LVC2G00 - 双路2输入与非门
• HEF4066B - 四路单刀单掷模拟开关
• BZX84J-C6V2 - 单倍齐纳二极管
• BGU7052 - SiGe:C低噪声高线性度放大器
• PBSS2540MB - 40 V，0.5 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PTVS8V5P1UP - 600 W瞬态电压抑制器