74LVT162374是设计用于3.3 V VCC操作的高性能BiCMOS产品。

74LVT162374设计在输出的高电平状态和低电平状态下都具有30 Ω串联电阻。该设计可降低存储器地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发送器等应用中的线路噪声。

该器件为16位边沿触发D类触发器，具有非反相三态输出。该器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟（CP）进行正向跃迁时，触发器的Q输出会显示D输入处建立的逻辑电平。

• 16位边沿触发式触发器
• 三态缓冲器
• 输出能力：+12mA和-12 mA
• TTL输入和输出开关电平
• 电源电压为5V时的系统输入和输出连接能力
• 总线保持数据输入无需用外部上拉电阻来保持闲置输入
• 允许带电插拔
• 输出包括30 Ω的串联电阻，从而无需外部端接电阻
• 上电复位
• 上电三态
• 输出连接至5 V总线时不加载任何总线电流
• 根据JESD78 ，锁存保护超过500mA
• ESD保护：
  • MIL STD 883 method 3015：超过2000 V
  • 机器模型：超过200 V

• 74HCT2G34GW - 双路缓冲器门
• BZX884-C4V3 - 稳压器二极管
• BLF7G22L-130 - 功率LDMOS晶体管
• 74AUP1G158GF - 低功耗2输入多路复用器；反相
• BZX884-B3V9 - 稳压器二极管
• PDTD113EU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• BC849B - NPN通用晶体管
• PSMN4R0-25YLC - N沟道25 V 4.5 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• P5DF072EV2 - MIFARE安全访问模块SAM AV1，PCM 1.1模块
• BUK9Y8R5-80E - N沟道80 V，8.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装