74AUP1G158是单路2输入多路复用器，其在公共数据选择输入(S)的控制下从两个数据输入（I0和I1）选择数据。一般数据选择输入的状态可确定数据来自哪个特定的寄存器。输出(Y)以补充（反相）形式呈现所选数据。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PMBTA13; PMBTA14 - NPN达林顿晶体管
• 74AUP2GU04GS - 低功耗双路非缓冲反相器
• BAS321 - 通用二极管
• SA56004FD - SMBus兼容型8针脚远程/本地数字温度传感器，带过温警报
• PSMN4R3-100PS - N沟道100 V 4.3 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装
• BAT54C - 肖特基势垒二极管
• BLF183XR(S) - LDMOS功率晶体管
• PEMD15; PUMD15 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 4.7 kΩ
• BUK7Y8R7-60E - N-channel 60 V, 8.7 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56
• PESD15VL2BT - 采用SOT23封装的低电容双向双ESD保护二极管