74LVT162244B是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。

74LVT162244B设计为在处于输出的高电平和低电平状态时都具有30 ?串联电阻。这种设计可降低内存地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发射器等应用中的噪声。

该器件是带非反相3态总线输出的16位缓冲器和线路驱动器。该器件可用作四个4位缓冲器、两个8位缓冲器或一个16位缓冲器。

74LVT162244B与74LVT16244B-1相同。零件编号已更改以反映行业标准。

• 16位总线接口
• 3态缓冲器
• 输出能力：+12mA/-12mA
• TTL输入和输出切换电平
• 5V电源系统的输入和输出接口能力
• 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
• 允许带电插拔
• 输出包括30 Ω的串联电阻，无需外部端接电阻
• 上电3态
• 输出连接到5V总线时无总线电流负载
• 闭锁保护超过500mA，符合JEDEC Std 17标准
• ESD保护根据MIL STD 883方法3015超过2000V，根据机器模型则超过200V
• 与74LVT16244B-1相同的部分

• PCF8545BTT - 复用率最高为1:8的通用LCD驱动器
• PZU4.7B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PZU20DB2 - 双倍齐纳二极管
• 74LVT16244BEV - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• PMBFJ308 - N沟道硅FET
• TEA1721AT - 适用于5 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 430 Hz
• PUSB3TB6 - 用于超高速接口的ESD保护
• 74HC2G32DP - 双路2输入或门
• 74LVC3G17GN - 三路非反相施密特触发器，带5 V容压输入
• PDTC114TM - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kOhm，R2 = 开路