该器件设计用于为高速接口（例如超高速和高速USB组合、安全数字(SD)卡3.0和Thunderbolt接口）提供静电放电保护(ESD)。

该器件集成6个高级ESD保护二极管结构，可用于超高速信号线，采用超小型无引脚DFN2111-7 (SOT1358-1)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

特殊的二极管结构提供全部信号线保护，具有超低线路电容（仅0.27 pF）。这些二极管利用独特的位回移结构，为接触放电电压高达±10 kV的下游器件提供ESD保护，超越IEC 61000-4-2第四级标准。

• 系统ESD保护，用于USB 2.0和USB 3.0组合、SD卡3.0和Thunderbolt接口
• 所有信号线均集成轨到轨钳位二极管，提供±10 kV的下游器件ESD保护，超过IEC 61000-4-2第四级标准
• 通用0.5 mm线距
• 信号线的信号对间匹配电容不超过0.05 pF
• 各通道的线路电容仅为0.27 pF
• 方便设计的直通通道信号路由

• 便携式设备和可穿戴设备
• 智能手机和平板电脑
• 电视机和显示器
• DVD刻录机和播放器
• 笔记本电脑、主板显卡和端口
• 机顶盒和游戏机

• BAT120C - 双倍肖特基势垒二极管
• BZV90-C39 - 稳压器二极管
• CBT3253A - 双路4选1 FET多路复用器/解复用器
• 74AUP1G11GN - 低功耗3输入与门
• 74AHCT3G14DC - 三路反相施密特触发器
• BUK661R8-30C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• PUMB10 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74LVTN16245BBX - 3.3 V 16位收发器；3态
• PZU11B3A - 单倍齐纳二极管
• NZH5V6B - 单倍齐纳二极管