74LVC3G34提供三个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• 74LVT02D - 3.3 V四路2输入或非门
• PCF2119DU - LCD控制器/驱动器
• 74HC1G126GW - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• SC26C92A1A - 双通道通用异步接收器/发送器(DUART)
• NZX3V9B - 单倍齐纳二极管
• PMN40UPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• 74HC251PW - 8输入多路复用器；3态
• BZT52H-B9V1 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PZU2.7B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BLL6G1214L-250 - LDMOS L波段雷达功率晶体管