
BUK7Y12-55B技术文档下载:
BUK7Y12-55B产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PHK31NQ03LT,518 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MC56F81768LVLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
- SPC5646CCAMLU1 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PBSS8110S,126 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- S9S12HY64J0MLL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TWR-MCF51JF-KIT - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
- BUK9528-55A,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- PDTA144EE,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- 74LVT273DB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- MC56F8035VLDR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- P87C52X2FA,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BUK7Y12-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
BUK7Y12-55B是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,BUK7Y12-55B是N沟道TrenchMOS标准电平FET,本站介绍了BUK7Y12-55B的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BUK7Y12-55B相关的NXP元器件型号供参考。
BUK7Y12-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用恩智浦高性能汽车电子(HPA) TrenchMOS技术。该产品设计符合相应AEC标准,适用于汽车电子关键型应用。
产品特性和优势
- 符合Q101标准
- 适用于标准电平栅极驱动源
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
产品应用
- 12 V和24 V负载
- 高级制动系统(ABS)
- 汽车系统
- 通用电源开关
- 马达、灯具和螺线管
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