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PBSS302PZ产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC68HC908QT2CPE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MKE04Z8VWJ4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MKE15Z32VLF4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PZM5.6NB1,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MRF8P26080HR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- BUK9E2R8-60E,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MC9S08PT60VQH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- UJA1169LTKZ - 集成电路(IC) > 接口 > 专用



PBSS302PZ - 20 V、5.5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS302PZ是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PBSS302PZ是20 V、5.5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管,本站介绍了PBSS302PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBSS302PZ相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS302PZ - 20 V、5.5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT223 (SC-73)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。NPN补充:PBSS302NZ。
产品特性和优势
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力IC和ICM
- 高集电极电流增益:hFE(高IC时)
- 发热量更低、能效更高
- 与传统晶体管相比,所需的印刷电路板(PCB)面积更少
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- DC-DC转换
- MOSFET栅极驱动
- 电机控制
- 充电电路
- 电源开关(如电机、风扇)
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