NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管，采用DFN2020D-3 (SOT1061D)无引脚超薄小型表面贴装器件(SMD)塑料封装，具有中等功率能力和可见且可焊侧焊盘。

PNP补充：PBSS5330PAS

• 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
• 高集电极电流能力IC和ICM
• 高集电极电流增益：hFE（高IC时）
• 发热量更低、能效更高
• 高达175 °C的高温应用
• 减少了印刷电路板(PCB)的面积需求
• 无引脚小型SMD塑料封装，采用可焊侧焊盘
• 外露式热沉，具有出色的热、电传导性能
• 适合于焊点的自动光学检测(AOI)
• 符合AEC-Q101标准

• 负载开关
• 电池驱动设备
• 电源管理
• 充电电路
• 电源开关（如电机、风扇）

• 74LVC373APW - 八进制D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• BZV55-C30 - 稳压器二极管
• BCM846BS - NPN/NPN matched double transistor
• BLF7G27L(S)-90P - 功率LDMOS晶体管
• PZU6.2B1A - 单倍齐纳二极管
• BZB984-C11 - 双倍稳压器二极管
• PEMH7 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kOhm，R2 = 开路
• 74VHC14BQ - 十六进制反相施密特触发器
• 74HCT4511D - BCD至7段锁存器/解码器/驱动器
• 74HC(T)2G17 - 双路非反相施密特触发器