NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管，采用DFN2020D-3 (SOT1061D)无引脚超薄小型表面贴装器件(SMD)塑料封装，具有中等功率能力和可见且可焊侧焊盘。

PNP补充：PBSS5330PAS

• 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
• 高集电极电流能力IC和ICM
• 高集电极电流增益：hFE（高IC时）
• 发热量更低、能效更高
• 高达175 °C的高温应用
• 减少了印刷电路板(PCB)的面积需求
• 无引脚小型SMD塑料封装，采用可焊侧焊盘
• 外露式热沉，具有出色的热、电传导性能
• 适合于焊点的自动光学检测(AOI)
• 符合AEC-Q101标准

• 负载开关
• 电池驱动设备
• 电源管理
• 充电电路
• 电源开关（如电机、风扇）

• 74ALVC574D - 八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• BC856W; BC857W; BC858W - PNP通用晶体管
• PBSS4041SN - 60 V，6.7 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• BZX585-C4V7 - 稳压器二极管
• PMPB29XPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• 74HC154DB - 4至16线路解码器/解复用器
• 74ALVC16836 - 20位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能（3态）
• BC869-25 - 20 V，2 A PNP中等功率晶体管
• 74HC4049 - 十六进制反相高电平至低电平转换器
• 74LVC2G14GS - 双路反相施密特触发器，带5 V容压输入