NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管，采用DFN2020D-3 (SOT1061D)无引脚超薄小型表面贴装器件(SMD)塑料封装，具有中等功率能力和可见且可焊侧焊盘。

PNP补充：PBSS5330PAS

• 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
• 高集电极电流能力IC和ICM
• 高集电极电流增益：hFE（高IC时）
• 发热量更低、能效更高
• 高达175 °C的高温应用
• 减少了印刷电路板(PCB)的面积需求
• 无引脚小型SMD塑料封装，采用可焊侧焊盘
• 外露式热沉，具有出色的热、电传导性能
• 适合于焊点的自动光学检测(AOI)
• 符合AEC-Q101标准

• 负载开关
• 电池驱动设备
• 电源管理
• 充电电路
• 电源开关（如电机、风扇）

• 74LVC1G66GS - 双向开关
• 74HC139DB - 双路2至4线路解码器/解复用器
• PMEG2005CT - 500 mA低V_F双MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74AUP1G16GX - Low-power buffer
• PESD5V0V1USF - 极低电容单向ESD保护二极管
• BLM7G22S-60PB - LDMOS 2级功率MMIC
• BUK6218-40C - N沟道TrenchMOS中间电平FET
• SC16C554B/554DB - 5 V、3.3 V和2.5 V的四通道UART，5 Mbit/s（最快），带有16字节FIFO
• NUP1301 - 超低电容ESD保护阵列
• BZX84J-C2V4 - 单倍齐纳二极管