74LVC2G86提供双路2输入异或门。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP2G08GM - 低功耗双路2输入与门
• PSMN2R0-30YLE - N沟道30 V 2 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• BZB84-B18 - 双倍齐纳二极管
• 74HC(T)10 - 三路3输入与非门
• IP3253CZ12-6-TTL - 集成式4、6和8通道无源EMI滤波器网络，带高电平ESD保护
• BUK765R2-40B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• P5CD021XD - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• 74LV165A - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• PSMN5R6-100PS - N沟道100 V 5.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装
• BCP54; BCX54; BC54PA - 45 V，1 A NPN中等功率晶体管