74HC2G17；74HCT2G17是高速硅栅CMOS器件。

74HC2G17；74HCT2G17提供两个非反相施密特触发缓冲器。该类器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入针对正向和负向信号在不同点进行切换。正电压VT+和负电压VT-之差定义为输入迟滞电压VH.

• 2.0 V至6.0 V的宽电源电压范围
• 符合JEDEC标准no. 7A
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114-D超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 低功耗
• 平衡传播延迟
• 无限输入上升和下降时间
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PDTD123TT - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• BZX84J-B27 - 单倍齐纳二极管
• TJA1021 - LIN 2.1/SAE J2602收发器
• BUK9Y11-80E - N沟道80 V，11 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• PSMN2R9-25YLC - N沟道25 V 3.15 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• PDTC144T series - NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路
• TJA1145 - 用于局部联网的高速CAN收发器
• 74VHCT244PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74HC238D - 3至8线路解码器/解复用器
• NWP2081T - 半桥驱动器IC