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74AUP3G34GD产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 74AHCT373PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- BF904,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- BAS40-05W,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
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- PTN3360ABS,518 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
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- KMPC8323EZQAFDC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BAS316,135 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- MC33FS8415G0ES - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
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- MCZ33298EGR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
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- BZX84-C33/LF1R - 二极管 - 齐纳 - 单
- MC850DECZQ50BUR2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BUK956R1-100E,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET



74AUP3G34GD - 低功耗三路缓冲器
74AUP3G34GD是NXP恩智浦公司的一款缓冲器/驱动器产品,74AUP3G34GD是低功耗三路缓冲器,本站介绍了74AUP3G34GD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与74AUP3G34GD相关的NXP元器件型号供参考。
74AUP3G34GD - 低功耗三路缓冲器 - 缓冲器/驱动器 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
74AUP3G34是三路缓冲器。
所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。
该器件可确保0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。
该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。
产品特性和优势
- 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-12(0.8 V至1.3 V)
- JESD8-11(0.9 V至1.65 V)
- JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
- JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
- JESD8-B(2.7 V至3.6 V)
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 低静态功耗;ICC = 0.9 μA(最大)
- 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78B II类标准
- 输入可接受高达3.6 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲,小于VCC的10 %
- IOFF电路提供局部掉电模式操作
- 多种封装选择
- 额定温度范围:?40 °C至+85 °C和?40 °C至+125 °C
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