74LVC2G34提供两个缓冲器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• PTVS9V0P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• BZX84J-C3V9 - 单倍齐纳二极管
• PESD5V0S1UA; PESD12VS1UA - 用于瞬态电压抑制的单向ESD保护
• PMBFJ109 - N沟道FET
• 74AUP2G240GT - 低功耗双路反相缓冲器/线路驱动器；3态
• BC857xMB series - 45 V，100 mA PNP通用晶体管
• BC51-16PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• UBA2017AT - 可调光HF-TL控制器IC
• PMN42XPEA - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• 74LVC2G08 - 双路2输入与门