74AUP3G04提供一个低功耗、低电压的三路反相缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HCT4066DB - 四路单刀单掷模拟开关
• 74LVC373AD - 八进制D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• PMCM6501VPE - 12 V, P-channel Trench MOSFET
• PMBT4401 - NPN开关晶体管
• HTMS8201FTB - HITAG μ (ISO14223)和(ISO11784/85)应答器IC
• 74LVC1G14GM - 单路施密特触发器反相器
• P5CD021XD - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• MMBT3904 - NPN开关晶体管
• PMEG2005AEL - 0.5 A超低V_F MEGA肖特基势垒整流二极管，采用无引脚超小型SOD882封装
• BUK661R8-30C - N沟道TrenchMOS中间电平FET