74AUP3G04提供一个低功耗、低电压的三路反相缓冲器。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BZB984-C11 - 双倍稳压器二极管
• BZX79-C75 - 稳压器二极管
• BLF8G22LS-200(G)V - 功率LDMOS晶体管
• NTB0104GU12 - 双电源转换收发器；自动方向感应；3态
• 74AUP3G0434GD - 低功耗双路反相器和单路缓冲器
• PBSS4041NT - 60 V，3.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• NHS3152 - Therapy adherence monitor
• PSMN035-150P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• BC51-16PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• BZB84-C2V7 - 双倍齐纳二极管