74LVC2G17提供两个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD-8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• PMPB13XNE - 30 V，单N沟道Trench MOSFET
• PSMN5R6-100BS - N沟道100 V 5.6 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• 74AHC08PW - 四路2输入与门
• PESDxV4UF; PESDxV4UG; PESDxV4UW - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• PBSS5120T - 20 V；1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• XC7SET04 - 反相器
• 74AHC(T)86 - 四路2输入异或门
• XC7SET02 - 2输入或非门
• PESD3V3L5UV - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列
• P5DF072 - MIFARE安全访问模块SAM AV1 (RC52x)