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PESD12VV1BL产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC56F8335VFGE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PRF947,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- P89LPC971FDH,129 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BAT754A,215 - 未分类 > 未分类
- PMN50XP,165 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET



PESD12VV1BL - 极低电容双向ESD保护二极管
PESD12VV1BL是NXP恩智浦公司的一款通用ESD保护产品,PESD12VV1BL是极低电容双向ESD保护二极管,本站介绍了PESD12VV1BL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESD12VV1BL相关的NXP元器件型号供参考。
PESD12VV1BL - 极低电容双向ESD保护二极管 - 通用ESD保护 - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
极低电容双向静电放电(ESD)保护二极管设计用于保护单条信号线,使其免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。该器件采用超小型无引脚DFN1006-2 (SOD882)表面贴装设备(SMD)塑料封装。
产品特性和优势
- 单条线路的双向ESD保护
- 低二极管电容:Cd = 17 pF
- 额定峰值脉冲功率:PPPM = 290 W
- 超低漏电流:IRM< 1 nA
- 高达30 kV的ESD保护
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- IEC 61000-4-5(浪涌);IPPM = 7.8 A
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 计算机和外设
- 音频和视频设备
- 手机和附件
- 便携式电子设备
- 通信系统
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