74LVC2G14提供两个带施密特触发器输入的反相缓冲器。该类器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• BZX84-B2V7 - 稳压器二极管
• 74AUP2G16GN - Low-power dual buffer
• PDTA113Z series - PNP配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm
• PDTA114TMB - PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 开路
• 74LVC3G16DC - Triple buffer
• PCA6408AHK - 带有中断输出、复位和配置寄存器的低电压、8位I2C总线和SMBus I/O扩展器
• 74CBTLVD3861PW - 10位电平转换总线开关，具有输出使能
• PSMN2R0-30YLE - N沟道30 V 2 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装
• BB181 - VHF变容二极管
• PMXB350UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET