74LVC595A是带存储寄存器和3态输出的8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器。移动和存储寄存器都具有单独的时钟。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

数据在SHCP输入正向跃迁时移位。移位寄存器中的数据在STCP输入正向跃迁时会被传输到存储寄存器。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器将总是比存储寄存器超前一个时钟脉冲。

移位寄存器具有用于级联的一个串行输入(DS)和一个串行输出(Q7S)。该器件还具有针对所有8个移位寄存器级的异步复位输入MR（低电平有效）。该存储寄存器具有8个平行3态总线驱动器输出。输出使能输入(OE)为低电平时，存储寄存器中的数据会出现在输出处。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 平衡传播延迟
• 所有输入都具有施密特触发动作
• 符合JEDEC标准JESD8-B/JESD36
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114-D超过2000 V
  • CDM JESD22-C101-C超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 串行到并行数据转换
• 遥控保持寄存器

• BAS40-07 - 通用肖特基二极管
• 74AHCT02PW - 四路2输入或非门
• 74HC14D - 十六进制反相施密特触发器
• BAT854SW - 双倍肖特基势垒二极管
• BGU8L1UK - SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
• 74AUP3G07GM - 低功耗三路缓冲器，带开漏输出
• BFG35 - NPN 4 GHz宽频带晶体管
• BAS21AW - 高压开关二极管
• BUK7511-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AHC(T)574 - 八频D型触发器；正边沿触发器；三态