74LVC1G19是带公共输出使能的2选1解码器/解复用器。使能(E)输入信号为低电平时，该器件缓冲输入A上的数据并将其传输到输出1Y（真正）和2Y（补充）。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• +-24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PHP33NQ20T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PEMH20; PUMH20 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 2.2 kOhm
• BZT52H-B20 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• TEA1733T - 低压启动的在定频/CCM下工作的反激控制器
• 74HCT4851D - 8通道模拟多路复用器/解复用器，具有注流效应控制功能
• BLF10M6135 - 功率LDMOS晶体管
• BLF7G10L(S)-250 - 功率LDMOS晶体管
• PHPT610035PK - PNP/PNP matched high power double bipolar transistor
• 74LVTH16244BDGG - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态
• PBHV9050T - 500 V，150 mA PNP高压低VCEsat (BISS)晶体管