74LVC2G08提供一个2输入与门功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC2G08用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• TDZ2V4J - 单倍齐纳二极管
• 74AUP1G125GM - 低功耗缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN2R0-60ES - N沟道60 V 2.2 mΩ标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• SC16IS762IPW - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的双通道UART
• PBSS301NX - 12 V、5.3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• BZX84-C9V1 - 稳压器二极管
• 74HC1G125GV - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• HTCICC6402FUG - HITAG RO64应答器IC
• BUK766R0-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PSMN075-100MSE - N沟道100 V 71 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK33封装，专为PoE应用而设计