74LVC2G06提供两个反相缓冲器。

该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• -24 mA输出驱动 (VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74VHC14PW - 十六进制反相施密特触发器
• HTSH5601ETK - HITAG S应答器IC
• BLU6H0410LS-600P - 功率LDMOS晶体管
• PDTC123Y series - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• A710x family - 安全验证微控制器
• PBSS301NZ - 12 V、5.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• SC28L194A1A - 3.3 V和5 V电源电压的四通道UART
• PMDXB1200UPE - 30 V, dual P-channel Trench MOSFET
• 2N7002BKS - 60 V，300 mA双N沟道Trench MOSFET
• BZT52H-C4V3 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管